Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature (2000)
Silva, Ana Neilde Rodrigues da; Morimoto, Nilton Itiro 
; Bonnaud, Olivier
Source: Microelectronics and Realiability. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e MORIMOTO, Nilton Itiro e BONNAUD, Olivier. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature. Microelectronics and Realiability, v. 40, p. 621-624, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6. Acesso em: 09 maio 2024.APA
Silva, A. N. R. da, Morimoto, N. I., & Bonnaud, O. (2000). Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature. Microelectronics and Realiability, 40, 621-624. doi:10.1016/s0026-2714(99)00296-6NLM
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature [Internet]. Microelectronics and Realiability. 2000 ; 40 621-624.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6Vancouver
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature [Internet]. Microelectronics and Realiability. 2000 ; 40 621-624.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6
